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SQ2361EES-T1-GE3

hotSQ2361EES-T1-GE3

SQ2361EES-T1-GE3

Pour Référence Seulement

Référence SQ2361EES-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix
Description MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23
Fiche technique

SQ2361EES-T1-GE3 Fiche technique

paquet TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
En stock 102 502 piece(s)
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Spécifications SQ2361EES-T1-GE3

FabricantVishay Siliconix
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SériesTrenchFET?
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C2.5A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds545pF @ 30V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)2W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs150 mOhm @ 2.4A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurSOT-23-3 (TO-236)
Paquet / casTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SQ2361EES-T1-GE3 fiche technique

SQ2361EES-T1-GE3 Packaging

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D# 70459601

Vishay Siliconix

60V 2.5A 2W P.CH 150mohm @ 10V

RoHS: Not Compliant
0
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  • 6000$0,5450
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Vishay Intertechnologies

9000
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Vishay Siliconix

MOSFET, P CH, -60V, -2.5A, SOT-23-3

2564
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0
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2500MA, 60V, P-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236

5970
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