Name: APTM10DHM09TG
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTM10DHM09TG
Availability: InStock
Rating: 5 (77 reviews)

APTM10DHM09TG

Pour Référence Seulement

Référence	APTM10DHM09TG
Fabricant	Microsemi Corporation
Description	MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4
Fiche technique	APTM10DHM09TG Fiche technique
paquet	SP4
ECAD
En stock	3 760 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	mai 18 - mai 23 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications APTM10DHM09TG

Fabricant	Microsemi Corporation
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet	SP4
ECAD
Séries	-
Type de FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Fonction FET	Standard
Tension de drain à la source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	139A
Rds sur (max) @ id, vgs	10 mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 2.5mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	350nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	9875pF @ 25V
Puissance - Max	390W
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	SP4
Package de périphérique fournisseur	SP4

APTM10DHM09TG fiche technique

APTM10DHM09TG Packaging

APTM10DHM09TG FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of APTM10DHM09TG.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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APTM10DHM09TG Produits Connexes

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MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4

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