| Référence | BSF083N03LQ G |
|---|---|
| Fabricant | Infineon Technologies |
| Description | MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2 |
| Fiche technique | |
| paquet | 3-WDSON |
| ECAD |
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| En stock | 6 000 piece(s) |
| Prix unitaire | Request a Quote |
| Délai de mise en œuvre | VÊtre confirmé |
| Temps de livraison estimé | mai 21 - mai 26 (Choisissez l'expédition accélérée) |
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| Services de livraison |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| Catégorie | Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| paquet | 3-WDSON |
| ECAD |
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| Séries | OptiMOS? |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension de drain à la source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 13A (Ta), 53A (Tc) |
| Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 2.2W (Ta), 36W (Tc) |
| Rds sur (max) @ id, vgs | 8.3 mOhm @ 20A, 10V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | MG-WDSON-2, CanPAK M? |
| Paquet / cas | 3-WDSON |
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DW-20-08-G-D-250 | Samtec Inc., .025" BOARD SPACERS, -, OptiMOS? | Vue |
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MP1-1A-1D-1D-1I-1P-4LE-4LE-03 | Artesyn Embedded Technologies, MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY, -, OptiMOS? | Vue |
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| Référence | Fabricant | Description | Stock |
BSF083N03LQ G D# BSF083N03LQG |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 6-Pin WDSON - Bulk (Alt: BSF083N03LQG) RoHS: Compliant
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0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
BSF083N03LQG D# 2156-BSF083N03LQG-ND |
Rochester Electronics LLC |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
6000 |
BSF083N03LQ G D# BSF083N03LQG-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 30V 13A/53A 2WDSON |
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
BSF083N03LQG |
Rochester Electronics LLC |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
6900 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
BSF083N03LQG |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM Immediate delivery |
80000 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
BSF083N03LQ G D# NS-BSF083N03LQ G |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
7497 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
BSF083N03LQG |
Infineon Technologies AG |
Power Field-Effect Transistor, 13A, 30V, 0.0142ohm, N-Channel, MOSFET RoHS: Compliant
|
6000 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
BSF083N03LQG |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
1516 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
BSF083N03LQG |
Infineon Technologies AG |
IN stock Immediate delivery |
79985 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
BSF083N03LQG |
Infineon Technologies AG |
shipping today |
4996 |
BSF083N03LQ G |
Infineon Technologies AG |
shipping today |
4996 |
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