Name: BSP129E6327T
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP129E6327T
Availability: InStock
Rating: 5 (142 reviews)

BSP129E6327T

Pour Référence Seulement

Référence	BSP129E6327T
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
Fiche technique	BSP129E6327T Fiche technique
paquet	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
En stock	3 456 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
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Spécifications BSP129E6327T

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
Séries	SIPMOS?
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	240V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	350mA (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	0V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 108µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	5.7nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	108pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	Depletion Mode
Dissipation de puissance (max)	1.8W (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs	6 Ohm @ 350mA, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-SOT223-4
Paquet / cas	TO-261-4, TO-261AA

BSP129E6327T fiche technique

BSP129E6327T Packaging

BSP129E6327T FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSP129E6327T.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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BSP129E6327T Produits Connexes

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BSP129E6327T

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223

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BSP129E6327T

D# BSP129XTINTR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4

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BSP129E6327T

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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D# NS-BSP129E6327T

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