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BUK952R8-60E,127

BUK952R8-60E,127

BUK952R8-60E,127

Pour Référence Seulement

Référence BUK952R8-60E,127
Fabricant NXP
Description MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Fiche technique
paquet TO-220-3
ECAD
En stock 5 408 piece(s)
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Spécifications BUK952R8-60E,127

FabricantNXP
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-220-3
ECAD
SériesTrenchMOS?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C120A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs120nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds17450pF @ 25V
Vgs (Max)±10V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)349W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs2.6 mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-220AB
Paquet / casTO-220-3

BUK952R8-60E,127 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

BUK952R8-60E,127 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK952R8-60E,127 is from the original manufacturer or authorized agents?
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D# BUK952R8-60E,127

 NXP Semiconductors

Transistor MOSFET N-Channel 60V 120A 3-Pin TO-220AB - Bulk (Alt: BUK952R8-60E,127)

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D# 2156-BUK952R8-60E127-NX-ND

 Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

 411
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BUK952R860E127

 Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 473
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 NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

 437
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 NXP Semiconductors

Now Nexperia BUK952R8-60E - Power Field-Effect Transistor, SIL3P

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 411
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 NXP Semiconductors

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 316

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