Référence | FD900R12IP4D |
---|---|
Fabricant | Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas |
Description | IGBT MODULE VCES 1200V 900A |
Fiche technique | |
paquet | - |
ECAD | |
En stock | 7 584 piece(s) |
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Référence | Fabricant | Description | Stock |
FD900R12IP4DVBOSA1 D# FD900R12IP4DVBOSA1 |
Infineon Technologies AG |
INDUSTRY - Bulk (Alt: FD900R12IP4DVBOSA1) |
0 |
FD900R12IP4DBOSA1 D# FD900R12IP4DBOSA1 |
Infineon Technologies AG |
INDUSTRY - Trays (Alt: FD900R12IP4DBOSA1) RoHS: Compliant
|
0 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
FD900R12IP4D D# SP000721122 |
Infineon Technologies AG |
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 900A 10-pin PRIME2-1 (Alt: SP000721122) |
0 |
FD900R12IP4DVBOSA1 D# SP001156314 |
Infineon Technologies AG |
INDUSTRY (Alt: SP001156314) |
0 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
FD900R12IP4D |
Infineon Technologies AG |
IGBT Module, Transistor Polarity:N Channel, DC Collector Current:900A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2kV, Power Dissipation Pd:5.1kW, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV, No. of Pins:10, Packaging:Each , RoHS Compliant: Yes |
2 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
FD900R12IP4DVBOSA1 D# 2156-FD900R12IP4DVBOSA1-ND |
Rochester Electronics LLC |
FD900R12 - INSULATED GATE BIPOLA |
3 |
FD900R12IP4DBOSA1 D# FD900R12IP4DBOSA1-ND |
Infineon Technologies AG |
IGBT MOD 1200V 900A 5100W |
0 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
FD900R12IP4D |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
1725 |
FD900R12IP4DV |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
380 |
FD900R12IP4DBOSA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
3 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
FD900R12IP4D D# 641-FD900R12IP4D |
Infineon Technologies AG |
IGBT Modules IGBT 1200V 900A |
3 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
FD900R12IP4DBOSA1 D# 38AH8368 |
Infineon Technologies AG |
PP IHM I XHP 1 7KV RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3
Container: Bulk
|
3 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
FD900R12IP4D |
Infineon Technologies AG |
1200V, N-CHANNEL IGBT |
1 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
FD900R12IP4DVBOSA1 |
Infineon Technologies AG |
FD900R12 - Insulated Gate Bipolar Transistor Module RoHS: Compliant
|
3 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
FD900R12IP4DBOSA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
101 |
FD900R12IP4DV |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
341 |
FD900R12IP4DVBOSA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
98 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
FD900R12IP4D |
Infineon Technologies AG |
RFQ |
10952 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
FD900R12IP4D D# 1833577 |
Infineon Technologies AG |
IGBT, HIG POW, 1200V, 900A RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
|
0 |
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