Name: HUF75829D3ST
Brand: Fairchild/ON Semiconductor
SKU: HUF75829D3ST
Availability: InStock
Rating: 5 (142 reviews)

HUF75829D3ST

Pour Référence Seulement

Référence	HUF75829D3ST
Fabricant	Fairchild/ON Semiconductor
Description	MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
Fiche technique	HUF75829D3ST Fiche technique
paquet	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
En stock	5 360 piece(s)
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Spécifications HUF75829D3ST

Fabricant	Fairchild/ON Semiconductor
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Séries	UltraFET?
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	150V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	18A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1080pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	110W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	110 mOhm @ 18A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-252AA
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

HUF75829D3ST fiche technique

HUF75829D3ST Packaging

HUF75829D3ST FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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