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HUFA75329D3ST

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Pour Référence Seulement

Référence HUFA75329D3ST
Fabricant Fairchild/ON Semiconductor
Description MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
Fiche technique

HUFA75329D3ST Fiche technique
paquet TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
En stock 5 584 piece(s)
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Spécifications HUFA75329D3ST

FabricantFairchild/ON Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SériesUltraFET?
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C20A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs65nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1060pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)128W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs26 mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurTO-252AA
Paquet / casTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

HUFA75329D3ST fiche technique

HUFA75329D3ST Packaging

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