| Référence | IRF1010ESTRR |
|---|---|
| Fabricant | Infineon Technologies |
| Description | MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK |
| Fiche technique | |
| paquet | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| En stock | 5 808 piece(s) |
| Prix unitaire | Request a Quote |
| Délai de mise en œuvre | VÊtre confirmé |
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| Fabricant | Infineon Technologies |
| Catégorie | Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| paquet | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| Séries | HEXFET? |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension de drain à la source (Vdss) | 60V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 84A (Tc) |
| Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3210pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 200W (Tc) |
| Rds sur (max) @ id, vgs | 12 mOhm @ 50A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | D2PAK |
| Paquet / cas | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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SIT1602BC-72-33S-62.500000E | SiTIME, -20 TO 70C, 2016, 25PPM, 3.3V, 6, -, HEXFET? | Vue |
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C0805C274M4RACTU | KEMET, CAP CER 0.27UF 16V X7R 0805, 0805 (2012 Metric), HEXFET? | Vue |
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R5F3650NCDFB#V0 | Renesas Electronics America, IC MCU SMD, 100-LQFP, HEXFET? | Vue |
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| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IRF1010ESTRR |
International Rectifier |
MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK |
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IRF1010ESTRR D# IRF1010ESTRR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK |
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IRF1010ESTRR D# NS-IRF1010ESTRR |
International Rectifier |
OEM/CM ONLY |
5363 |
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