* Please refer to the English Version as our Official Version.
| Référence | IRF1010ZSTRRPBF |
|---|---|
| Fabricant | Infineon Technologies |
| Description | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK |
| Fiche technique | |
| paquet | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
|
| En stock | 4 688 piece(s) |
| Prix unitaire | Request a Quote |
| Délai de mise en œuvre | VÊtre confirmé |
| Temps de livraison estimé | mai 12 - mai 17 (Choisissez l'expédition accélérée) |
| Demander un Devis |
|
| Méthodes de paiement | |
| Services de livraison |
| Fabricant | Infineon Technologies |
| Catégorie | Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| paquet | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
|
| Séries | HEXFET? |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension de drain à la source (Vdss) | 55V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 75A (Tc) |
| Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2840pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 140W (Tc) |
| Rds sur (max) @ id, vgs | 7.5 mOhm @ 75A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | D2PAK |
| Paquet / cas | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
|
SIT8208AI-82-28S-66.666000Y | SiTIME, -40 TO 85C, 7050, 25PPM, 2.8V, 6, -, HEXFET? | Vue |
|
|
1812J0100124GCR | Knowles Syfer, CAP CER 0.12UF 10V C0G/NP0 1812, 1812 (4532 Metric), HEXFET? | Vue |
|
VJ1812Y393JBLAT4X | Vishay Vitramon, CAP CER 0.039UF 630V X7R 1812, 1812 (4532 Metric), HEXFET? | Vue |
|
S-8521D29MC-BXOT2G | SII Semiconductor Corporation, IC REG CTRLR BUCK SOT23-5, SC-74A, SOT-753, HEXFET? | Vue |
|
|
333100000 | C&K, SWITCH THUMB BCD 0.1A 120V/28V, -, HEXFET? | Vue |
|
|
1-284008-9 | TE Connectivity AMP Connectors, TERM BLOCK HDR 19POS 5.08MM, -, HEXFET? | Vue |
|
TLW-114-05-G-S | Samtec Inc., CONN HEADER .100" 14POS SGL GOLD, -, HEXFET? | Vue |
|
850-80-007-40-001101 | Preci-Dip, CONN HDR 7POS 1.27MM SMD R/A, -, HEXFET? | Vue |
|
|
09695115432 | HARTING, CONN D-SUB PLUG 43P STR SLDR CUP, -, HEXFET? | Vue |
|
|
QRW040A0Y641-BHZ | GE Critical Power, DC/DC CONVERTER 1.8V 40A 72W, 10-DIP Module, HEXFET? | Vue |
|
VCN70BADJTU-1C | Murata Power Solutions Inc., CONV DC/DC DDR 70A 12V ADJUST TH, 24-SIP Module (23 Leads), HEXFET? | Vue |
|
|
M02066G-51 | M/A-Com Technology Solutions, IC OPERATIONAL AMP, 24-WQFN Exposed Pad, HEXFET? | Vue |
Nous garantissons la satisfaction du client à 100%.
Notre équipe de vente expérimentée et notre équipe d'assistance technique recourent à nos services pour satisfaire tous nos clients.
Nous fournissons une garantie de 90 jours.
Si les articles que vous avez reçus n'étaient pas de qualité parfaite, nous serions responsables de votre remboursement ou de votre remplacement, mais les articles doivent être retournés dans leur état d'origine.
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IRF1010ZSTRRPBF |
International Rectifier |
Single N-Channel 55 V 140 W 63 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 |
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IRF1010ZSTRRPBF D# IRF1010ZSTRRPBF-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK |
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IRF1010ZSTRRPBF D# NS-IRF1010ZSTRRPBF |
International Rectifier |
OEM/CM ONLY |
1052 |
L'engagement de Heisener en matière de qualité a façonné nos processus d'approvisionnement, de test, d'expédition et à chaque étape intermédiaire. Cette fondation est à la base de chaque composant que nous vendons.
Avez-vous une question à propos de IRF1010ZSTRRPBF?
86-755-83210559-817
Scannez pour afficher cette page
