Name: IRF6614TR1PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6614TR1PBF
Availability: InStock
Rating: 5 (82 reviews)

IRF6614TR1PBF

Pour Référence Seulement

Référence	IRF6614TR1PBF
Fabricant	Infineon Technologies
Description	MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
Fiche technique	IRF6614TR1PBF Fiche technique
paquet	DirectFET? Isometric ST
ECAD
En stock	5 072 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	Expédition possible immédiatement
Temps de livraison estimé	mai 10 - mai 15 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications IRF6614TR1PBF

Fabricant	Infineon Technologies
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	DirectFET? Isometric ST
ECAD
Séries	HEXFET?
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	12.7A (Ta), 55A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.25V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2560pF @ 20V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.1W (Ta), 42W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	8.3 mOhm @ 12.7A, 10V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	DIRECTFET? ST
Paquet / cas	DirectFET? Isometric ST

IRF6614TR1PBF fiche technique

IRF6614TR1PBF Packaging

IRF6614TR1PBF FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IRF6614TR1PBF.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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IRF6614TR1PBF Produits Connexes

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IRF6614TR1PBF

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