| Référence | IXFT10N100 |
|---|---|
| Fabricant | IXYS |
| Description | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268 |
| Fiche technique | |
| paquet | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| ECAD |
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| En stock | 6 000 piece(s) |
| Prix unitaire | Request a Quote |
| Délai de mise en œuvre | VÊtre confirmé |
| Temps de livraison estimé | mai 6 - mai 11 (Choisissez l'expédition accélérée) |
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| Fabricant | IXYS |
| Catégorie | Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| paquet | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| ECAD |
|
| Séries | HiPerFET? |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension de drain à la source (Vdss) | 1000V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 10A (Tc) |
| Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 155nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4000pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) |
| Rds sur (max) @ id, vgs | 1.2 Ohm @ 5A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | TO-268 |
| Paquet / cas | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
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| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IXFT10N100 |
IXYS Corporation |
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268 |
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IXFT10N100 D# IXFT10N100-ND |
IXYS Corporation |
MOSFET N-CH 1000V 10A TO268 |
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IXFT10N100 |
IXYS Corporation |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
2720 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IXFT10N100 D# NS-IXFT10N100 |
IXYS Corporation |
OEM/CM ONLY |
2373 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IXFT10N100 |
IXYS Corporation |
OEM/CM ONLY |
2356 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
IXFT10N100 |
IXYS Corporation |
RFQ |
8504 |
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