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Référence | NE3515S02-T1D-A |
---|---|
Fabricant | CEL |
Description | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 |
Fiche technique | |
paquet | 4-SMD, Flat Leads |
ECAD | |
En stock | 5 040 piece(s) |
Prix unitaire | Request a Quote |
Délai de mise en œuvre | VÊtre confirmé |
Temps de livraison estimé | mai 4 - mai 9 (Choisissez l'expédition accélérée) |
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Méthodes de paiement | |
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Référence | Fabricant | Description | Stock |
NE3515S02-T1D-A D# NE3515S02-T1D-A |
Renesas Electronics Corporation |
HJ-FET N-Channel 4V Surface Mount T/R - Bulk (Alt: NE3515S02-T1D-A) |
0 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
NE3515S02-T1D-A D# 2156-NE3515S02-T1D-A-ND |
Rochester Electronics LLC |
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET |
708107 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
NE3515S02T1DA |
Rochester Electronics LLC |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
894092 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
NE3515S02-T1D-A |
Renesas Electronics Corporation |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, KU Band, N-Channel, Hetero-junction FET RoHS: Compliant
|
708107 |
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