| Référence | SI1056X-T1-E3 |
|---|---|
| Fabricant | Vishay Siliconix |
| Description | MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F |
| Fiche technique | |
| paquet | SOT-563, SOT-666 |
| ECAD |
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| En stock | 432 000 piece(s) |
| Prix unitaire | Request a Quote |
| Délai de mise en œuvre | Expédition possible immédiatement |
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| Fabricant | Vishay Siliconix |
| Catégorie | Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| paquet | SOT-563, SOT-666 |
| ECAD |
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| Séries | TrenchFET? |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension de drain à la source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
| Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7nC @ 5V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 236mW (Ta) |
| Rds sur (max) @ id, vgs | 89 mOhm @ 1.32A, 4.5V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | SC-89-6 |
| Paquet / cas | SOT-563, SOT-666 |
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| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI1056X-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F |
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI1056X-T1-E3 D# SI1056X-T1-E3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 20V 1.32A SC89-6 |
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI1056XT1E3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
555 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI1056X-T1-E3 D# NS-SI1056X-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
1687 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI1056XT1E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
3016 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI1056X-T1-E3 |
Vishay Huntington |
MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F |
3000 |
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