Name: SI2392DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2392DS-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (124 reviews)

SI2392DS-T1-GE3

Pour Référence Seulement

Référence	SI2392DS-T1-GE3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
Fiche technique	SI2392DS-T1-GE3 Fiche technique
paquet	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Spécifications SI2392DS-T1-GE3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Séries	TrenchFET?
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	3.1A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	10.4nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	196pF @ 50V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	126 mOhm @ 2A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-23
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SI2392DS-T1-GE3 fiche technique

SI2392DS-T1-GE3 Packaging

SI2392DS-T1-GE3 FAQ

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3. Are the SI2392DS-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SI2392DS-T1-GE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as SI2392DS-T1-GE3 pin diagram, SI2392DS-T1-GE3 datasheet?

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