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Référence | SI3447BDV-T1-GE3 |
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Fabricant | Vishay Siliconix |
Description | MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP |
Fiche technique | |
paquet | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
ECAD | |
En stock | 36 000 piece(s) |
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Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI3447BDV-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
P CHANNEL MOSFET, -12V, 4.5A, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-4.5A, Drain Source Voltage Vds:-12V, On Resistance Rds(on):40mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V, Threshold Voltage Vgs:1V, No. of Pins:6 , RoHS Compliant: Yes |
2220 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI3447BDV-T1-GE3 D# SI3447BDV-T1-GE3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 12V 4.5A 6TSOP |
0 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI3447BDV-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
In stock shipping within 2days |
30525 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI3447BDV-T1-GE3 D# 1871348 |
Vishay Intertechnologies |
P CHANNEL MOSFET, -12V, 4.5A RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI3447BDVT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
438 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI3447BDV-T1-GE3 D# 26R1868 |
Vishay Intertechnologies |
P CHANNEL MOSFET, -12V, 4.5A, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:12V, Continuous Drain Current Id:4.5A, On Resistance Rds(on):0.04ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
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0 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI3447BDV-T1-GE3 D# NS-SI3447BDV-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
7475 |
Référence | Fabricant | Description | Stock |
SI3447BDVT1GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
384 |
L'engagement de Heisener en matière de qualité a façonné nos processus d'approvisionnement, de test, d'expédition et à chaque étape intermédiaire. Cette fondation est à la base de chaque composant que nous vendons.
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+86-755-83210559-827
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