Name: SI3909DV-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3909DV-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (153 reviews)

SI3909DV-T1-E3

Pour Référence Seulement

Référence	SI3909DV-T1-E3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP
Fiche technique	SI3909DV-T1-E3 Fiche technique
paquet	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
En stock	535 764 piece(s)
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Spécifications SI3909DV-T1-E3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
Séries	TrenchFET?
Type de FET	2 P-Channel (Dual)
Fonction FET	Logic Level Gate
Tension de drain à la source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	-
Rds sur (max) @ id, vgs	200 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	500mV @ 250µA (Min)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Puissance - Max	1.15W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package de périphérique fournisseur	6-TSOP

SI3909DV-T1-E3 fiche technique

SI3909DV-T1-E3 Packaging

SI3909DV-T1-E3 FAQ

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3. Are the SI3909DV-T1-E3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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SI3909DV-T1-E3 Produits Connexes

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