Name: SI5401DC-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5401DC-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (193 reviews)

SI5401DC-T1-E3

Pour Référence Seulement

Référence	SI5401DC-T1-E3
Fabricant	Vishay Siliconix
Description	MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
Fiche technique	SI5401DC-T1-E3 Fiche technique
paquet	8-SMD, Flat Lead
ECAD
En stock	7 392 piece(s)
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Spécifications SI5401DC-T1-E3

Fabricant	Vishay Siliconix
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	8-SMD, Flat Lead
ECAD
Séries	TrenchFET?
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	5.2A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	±8V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.3W (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs	32 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	1206-8 ChipFET?
Paquet / cas	8-SMD, Flat Lead

SI5401DC-T1-E3 fiche technique

SI5401DC-T1-E3 Packaging

SI5401DC-T1-E3 FAQ

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3. Are the SI5401DC-T1-E3 price and inventory displayed accurate?

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6. What is the process for return or replacement of SI5401DC-T1-E3?

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SI5401DC-T1-E3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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SI5401DC-T1-E3 Produits Connexes

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SI5401DC-T1-E3 Des garanties

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SI5401DCT1E3

Vishay Intertechnologies

Small Signal Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant

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SI5401DC-T1-E3

D# SI5401DC-T1-E3TR-ND

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