| Référence | SIHP35N60E-GE3 |
|---|---|
| Fabricant | Vishay Siliconix |
| Description | MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB |
| Fiche technique | |
| paquet | TO-220-3 |
| ECAD |
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| En stock | 12 438 piece(s) |
| Prix unitaire | Request a Quote |
| Délai de mise en œuvre | VÊtre confirmé |
| Temps de livraison estimé | mai 12 - mai 17 (Choisissez l'expédition accélérée) |
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| Fabricant | Vishay Siliconix |
| Catégorie | Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| paquet | TO-220-3 |
| ECAD |
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| Séries | E |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension de drain à la source (Vdss) | 600V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 32A (Tc) |
| Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 132nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2760pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 250W (Tc) |
| Rds sur (max) @ id, vgs | 94 mOhm @ 17A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-220AB |
| Paquet / cas | TO-220-3 |
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SIT1602BC-32-33N-24.576000T | SiTIME, -20 TO 70C, 5032, 25PPM, 3.3V, 2, -, E | Vue |
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017126 | Crystek Corporation, CRYSTAL 4.90625MHZ SMD, -, E | Vue |
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SMPC16A-M3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division, TVS DIODE 16VWM 26VC SMPC, TO-277, 3-PowerDFN, E | Vue |
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91J1R8E | Ohmite, RES 1.8 OHM 1.5W 5% AXIAL, Axial, E | Vue |
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RNC55J3050BSRE6 | Vishay Dale, RES 305 OHM 1/8W .1% AXIAL, Axial, E | Vue |
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752201223JPTR13 | CTS Resistor Products, RES ARRAY 18 RES 22K OHM 20DRT, 20-DRT, E | Vue |
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RJ1220FR005CS | Samsung, THICK FILM WIDE TERMINAL CSR050, -, E | Vue |
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CRCW120662R0FKEAHP | Vishay Dale, RES SMD 62 OHM 1% 3/4W 1206, 1206 (3216 Metric), E | Vue |
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RCA08051R00JNEA | Vishay Dale, RES SMD 1 OHM 5% 1/8W 0805, 0805 (2012 Metric), E | Vue |
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B82422A1392J100 | EPCOS (TDK), FIXED IND 3.9UH 190MA 1.4 OHM, 2-SMD, J-Lead, E | Vue |
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ESQT-110-02-L-Q-425 | Samtec Inc., ELEVATED 2MM SOCKETS, -, E | Vue |
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HDWM-33-57-G-D-530 | Samtec Inc., .050" BOARD SPACERS, -, E | Vue |
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| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SIHP35N60E-GE3 D# V99:2348_17597448 |
Vishay Intertechnologies |
SIHP35N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Arrow.com RoHS: Compliant
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0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SIHP35N60E-GE3 D# SIHP35N60E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Power MOSFET N-Channel 600V 32A 3-Pin TO-220AB - Tape and Reel (Alt: SIHP35N60E-GE3) |
0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SIHP35N60E-GE3 D# SIHP35N60E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Power MOSFET N-Channel 600V 32A 3-Pin TO-220AB (Alt: SIHP35N60E-GE3) RoHS: Compliant
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0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SIHP35N60E-GE3 D# SIHP35N60E-GE3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB |
990 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SIHP35N60E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
In stock shipping within 2days |
300 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SIHP35N60E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SIHP35N60EGE3 |
VISHAY SILICONIX |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
1178 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SIHP35N60E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
200 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SIHP35N60E-GE3 D# 78-SIHP35N60E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB RoHS: Compliant
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878 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SIHP35N60EGE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
771 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SIHP35N60E-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
195 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
SIHP35N60E-GE3 D# 25903639 |
Vishay Intertechnologies |
SIHP35N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Arrow.com RoHS: Compliant
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0 |
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