| Référence | TPN7R506NH,L1Q |
|---|---|
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Description | MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON |
| Fiche technique | |
| paquet | 8-PowerVDFN |
| ECAD |
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| En stock | 46 002 piece(s) |
| Prix unitaire | Request a Quote |
| Délai de mise en œuvre | VÊtre confirmé |
| Temps de livraison estimé | mai 16 - mai 21 (Choisissez l'expédition accélérée) |
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| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Catégorie | Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| paquet | 8-PowerVDFN |
| ECAD |
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| Séries | U-MOSVIII-H |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension de drain à la source (Vdss) | 60V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 26A (Tc) |
| Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 6.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 30V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 700mW (Ta), 42W (Tc) |
| Rds sur (max) @ id, vgs | 7.5 mOhm @ 13A, 10V |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Paquet / cas | 8-PowerVDFN |
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SIT8208AI-32-33E-38.400000T | SiTIME, -40 TO 85C, 5032, 25PPM, 3.3V, 3, -, U-MOSVIII-H | Vue |
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SIT1602BC-12-28E-48.000000D | SiTIME, OSC MEMS 48.0000MHZ LVCMOS SMD, 4-SMD, No Lead, U-MOSVIII-H | Vue |
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C323C180FAG5TA7301 | KEMET, CAP CER 18PF 250V C0G RADIAL, Radial, U-MOSVIII-H | Vue |
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RLR07C4R30GMBSL | Vishay Dale, RES 4.3 OHM 2% 1/4W AXIAL, Axial, U-MOSVIII-H | Vue |
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RNC55J2371FSRE6 | Vishay Dale, RES 2.37K OHM 1/8W 1% AXIAL, Axial, U-MOSVIII-H | Vue |
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4814P-2-202 | Bourns Inc., RES ARRAY 13 RES 2K OHM 14SOIC, 14-SOIC (0.220", 5.59mm Width), U-MOSVIII-H | Vue |
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RG3216N-4702-B-T5 | Susumu, RES SMD 47K OHM 0.1% 1/4W 1206, 1206 (3216 Metric), U-MOSVIII-H | Vue |
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62781-1 | TE Connectivity AMP Connectors, CONN MAG TERM 18-22AWG POKE-IN, -, U-MOSVIII-H | Vue |
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90234-410HLF | Amphenol FCI, HEADER BERGSTIK, -, U-MOSVIII-H | Vue |
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EJH-120-01-S-D-SM-23-P-TR | Samtec Inc., .100 X .100 EJECTOR HEADER ASSEM, -, U-MOSVIII-H | Vue |
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9-146274-0-31 | TE Connectivity AMP Connectors, CONN HDR BRKWAY .100 31POS VERT, -, U-MOSVIII-H | Vue |
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VE-BWN-IV-B1 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 150W, Full Brick, U-MOSVIII-H | Vue |
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| Référence | Fabricant | Description | Stock |
TPN7R506NH,L1Q D# V36:1790_13896525 |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 53A 8-Pin TSON EP Advance T/R RoHS: Compliant
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0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
TPN7R506NH,L1Q D# TPN7R506NH,L1Q |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET N-CH 60V 26A 8-Pin TSON Embossed T/R - Tape and Reel (Alt: TPN7R506NH,L1Q) RoHS: Compliant
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0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
TPN7R506NH,L1Q(M D# TPN7R506NH,L1Q(M |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TSON (Alt: TPN7R506NH,L1Q(M) RoHS: Compliant
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0 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
TPN7R506NH,L1Q D# TPN7R506NHL1QCT-ND |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON |
65 |
| Référence | Fabricant | Description | Stock |
TPN7R506NH,L1Q |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET pbFree: Pb-Free
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0 |
TPN7R506NHL1Q |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET TRANS POWER MOSFET pbFree: Pb-Free
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